БукРивер создан для того, чтобы вы могли поменять прочитанную книгу на любую другую или просто подарить хорошему человеку, пока она не погибла под слоем пыли на вашей полке.
Как это работает Что вы хотите прочитать? Присоединиться к БукРиверу
Как это работает Что вы хотите прочитать? Присоединиться к БукРиверу
Это книга уже подарена ее хозяином
Поиск → Полупроводниковые запоминающие устройства и их применение
«Полупроводниковые запоминающие устройства и их применение», А. Гордонов
Рассматривается методика расчета и специфика построения модулей и блоков полупроводниковых ЗУ на БИС. Приводятся их характеристики и анализируются функциональные возможности. Даются рекомендации по построению практических схем ЗУ. Рассматриваются методы контроля и вопросы повышения надежности
Для ниженерно-техиичсских работников, занятых в области цифровой вычислительной техники и автоматики, а также для студентов вузов
ПРЕДИСЛОВИЕ
Одним из основных элементов современных ЭВМ являются запоминающие устройства, которые занимают до 80% их объема. Производительность ЭВМ во многом определяется быстродействием ЗУ.
Среди различных видов памяти ЭВМ в последние годы широкое распространение получили полупроводниковые ЗУ. Благодаря своей технологичности, надежности, малым габаритам и массе они заняли верхние уровни в иерархической структуре памяти ЭВМ.
Создание полупроводникового ЗУ можно разделить на два этапа: первый этап заключается в правильном выборе элементной базы, второй — создании модулей и блоков разных типов на БИС ЗУ. Поэтому в книге рассмотрены основные типы БИС ЗУ, дается классификация их параметров, приводятся методы анализа БИС ЗУ, а также рассматриваются принципы конструирования модулей и блоков ЗУ, приводится методика их расчета и примеры построения.
Контроль запоминающих устройств является важной задачей как при разработке, так и при эксплуатации. В книге рассматриваются различные способы контроля, дается сравнительный анализ тестов для контроля параметров ЗУ и функционального контроля. Анализируются требования к контрольно-измерительной аппаратуре, приводятся ее основные данные.
В настоящее время все большее значение уделяется повышению надежности ЗУ. Этот вопрос недостаточно полно освещен в литературе. В книге рассмотрены различные способы повышения надежности как программными, так и аппаратурными методами, приводится сравнительный анализ различных методов повышения надежности, даются примеры повышения надежности.
При подготовке книги использован и обобщен многолетний опыт научной и практической деятельности авторов в области проектирования и эксплуатации ЗУ, а также материалы из отечественных и зарубежных источников.
Книга охватывает широкий круг вопросов, поэтому к работе над ней были привлечены специалисты различных направлений: введение написано Бекиным Н. В.; гл. 1 — Барановым В. В., Калининым А. В. и Савостьяновым Э. П.; гл. 2 — Горячевым В. И. и Мансуровым Б. М.; гл. 3 — Гордоновым А. Ю., Смирновым Р. В, Софийским Г. Д. и Цыркиным В. В. [в разработке методики расчета ЗУ (§ 3.1.6) принимала участие Печенникова Ж.П.]; гл. 4 — Андреевым В. П., Малофеевым Е. В., Печенниковой Ж. П. и Поповым Ю. А.; гл. 5 — Зосимовой Н. А. (§ 5.1), Гордоновым А. Ю., Степановым В. В. и Суровцевым Ю. А. (§ 5.2); гл.6 — Смирновым Р. В. (в написании § 6.2 принимал участие Жуков А. В.); гл. 7 — Быловым К- В. и Глазковым Ю. Б.; гл. 8 — Журавлевым Ю. Д. и Тюхиным А. А.; гл. 9 — Зосимовой Н. А.
Авторы признательны А. И. Косткжу, A. JI. Семенову, Л. Я- Сироте за полезные советы и благодарят рецензентов книги кандидатов техн. наук А. Б. Акинфиева и Ю. Е. Наумова за ценные замечания и советы, способствовавшие улучшению книги.
Для ниженерно-техиичсских работников, занятых в области цифровой вычислительной техники и автоматики, а также для студентов вузов
ПРЕДИСЛОВИЕ
Одним из основных элементов современных ЭВМ являются запоминающие устройства, которые занимают до 80% их объема. Производительность ЭВМ во многом определяется быстродействием ЗУ.
Среди различных видов памяти ЭВМ в последние годы широкое распространение получили полупроводниковые ЗУ. Благодаря своей технологичности, надежности, малым габаритам и массе они заняли верхние уровни в иерархической структуре памяти ЭВМ.
Создание полупроводникового ЗУ можно разделить на два этапа: первый этап заключается в правильном выборе элементной базы, второй — создании модулей и блоков разных типов на БИС ЗУ. Поэтому в книге рассмотрены основные типы БИС ЗУ, дается классификация их параметров, приводятся методы анализа БИС ЗУ, а также рассматриваются принципы конструирования модулей и блоков ЗУ, приводится методика их расчета и примеры построения.
Контроль запоминающих устройств является важной задачей как при разработке, так и при эксплуатации. В книге рассматриваются различные способы контроля, дается сравнительный анализ тестов для контроля параметров ЗУ и функционального контроля. Анализируются требования к контрольно-измерительной аппаратуре, приводятся ее основные данные.
В настоящее время все большее значение уделяется повышению надежности ЗУ. Этот вопрос недостаточно полно освещен в литературе. В книге рассмотрены различные способы повышения надежности как программными, так и аппаратурными методами, приводится сравнительный анализ различных методов повышения надежности, даются примеры повышения надежности.
При подготовке книги использован и обобщен многолетний опыт научной и практической деятельности авторов в области проектирования и эксплуатации ЗУ, а также материалы из отечественных и зарубежных источников.
Книга охватывает широкий круг вопросов, поэтому к работе над ней были привлечены специалисты различных направлений: введение написано Бекиным Н. В.; гл. 1 — Барановым В. В., Калининым А. В. и Савостьяновым Э. П.; гл. 2 — Горячевым В. И. и Мансуровым Б. М.; гл. 3 — Гордоновым А. Ю., Смирновым Р. В, Софийским Г. Д. и Цыркиным В. В. [в разработке методики расчета ЗУ (§ 3.1.6) принимала участие Печенникова Ж.П.]; гл. 4 — Андреевым В. П., Малофеевым Е. В., Печенниковой Ж. П. и Поповым Ю. А.; гл. 5 — Зосимовой Н. А. (§ 5.1), Гордоновым А. Ю., Степановым В. В. и Суровцевым Ю. А. (§ 5.2); гл.6 — Смирновым Р. В. (в написании § 6.2 принимал участие Жуков А. В.); гл. 7 — Быловым К- В. и Глазковым Ю. Б.; гл. 8 — Журавлевым Ю. Д. и Тюхиным А. А.; гл. 9 — Зосимовой Н. А.
Авторы признательны А. И. Косткжу, A. JI. Семенову, Л. Я- Сироте за полезные советы и благодарят рецензентов книги кандидатов техн. наук А. Б. Акинфиева и Ю. Е. Наумова за ценные замечания и советы, способствовавшие улучшению книги.
Расскажите друзьям об этой книге. Отправьте им эту ссылку
Мнения о книге
Мнений пока нет. Может быть Вы попробуете? ;)